VIDEO日本老熟妇 - 无码国产精品一区二区免费97 - 在线亚洲综合亚洲网色就色 - 99久久无码国产孕妇精品 - 青春禁区视频在线观看

    1、硅烷(SiH4)：有毒。硅烷在半導(dǎo)體工業(yè)中首要用于制作高純多晶硅、通過(guò)氣相淀積制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔離層、多晶硅歐姆觸摸層和異質(zhì)或同質(zhì)硅外延成長(zhǎng)質(zhì)料、以及離子注入源和激光介質(zhì)等，還可用于制作太陽(yáng)能電池、光導(dǎo)纖維和光電傳感器等。

    2、鍺烷(GeH4)：劇毒。金屬鍺是一種杰出的半導(dǎo)體資料，鍺烷在電子工業(yè)中首要用于化學(xué)氣相淀積，構(gòu)成各種不同的硅鍺合金用于電子元器件的制作。

    3、磷烷(PH3)：劇毒。首要用于硅烷外延的摻雜劑，磷分散的雜有機(jī)膨潤(rùn)土一流變助劑質(zhì)源。一起也用于多晶硅化學(xué)氣相淀積、外延GaP資料、離子注入工藝、化合物半導(dǎo)體的MOCVD工藝、磷硅玻璃(PSG)鈍化膜制備等工藝中。

    4、砷烷(AsH3)：劇毒。首要用于外延和離子注入工藝中的n型摻雜劑。

    5、氫化銻(SbH3)：劇毒。用作制作n型硅半導(dǎo)體時(shí)的氣相摻雜劑。

    6、乙硼烷(B2H6)：窒息臭味的劇毒氣體。硼烷是氣態(tài)雜質(zhì)源、離子注入和硼摻雜氧化分散的摻雜劑，它也曾作為高能燃料用于火箭和導(dǎo)彈的燃有機(jī)膨潤(rùn)土一流變助劑料。

    7、三氟化硼(BF3)：有毒，極強(qiáng)刺激性。首要用作P型摻雜劑、離子注入源和等離子刻蝕氣體。

    8、三氟化氮(NF3)：毒性較強(qiáng)。首要用于化學(xué)氣相淀積(CVD)設(shè)備的清洗。三氟化氮能夠獨(dú)自或與其它氣體組合，用作等離子體工藝的蝕刻氣體，例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蝕刻;NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蝕刻，也用于NbSi2的蝕刻。

    9、三氟化磷(PF3)：有機(jī)膨潤(rùn)土一流變助劑毒性極強(qiáng)。作為氣態(tài)磷離子注入源。

    10、四氟化硅(SiF4)：遇水生成腐蝕性極強(qiáng)的氟硅酸。首要用于氮化硅(Si3N4)和硅化鉭(TaSi2)的等離子蝕刻、發(fā)光二極管P型摻雜、離子注入工藝、外延堆積分散的硅源和光導(dǎo)纖維用高純石英玻璃的質(zhì)料。

    11、五氟化磷(PF5)：在濕潤(rùn)的空氣中發(fā)生有毒的氟化氫煙霧。用作氣態(tài)磷離子注入源。

    12、四氟化碳(CF4)：作為等離子蝕刻工藝中常用的作業(yè)氣體，是二氧化硅、氮化硅的等離子蝕有機(jī)膨潤(rùn)土一流變助劑刻劑。

    13、六氟乙烷(C2H6)：在等離子工藝中作為二氧化硅和磷硅玻璃的干蝕氣體。

    14、全氟原鹽中硫酸根含量到達(dá)多少時(shí)會(huì)對(duì)離子膜形成損壞?怎樣核算?丙烷(C3F8)：在等離子蝕刻工藝中，作為二氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蝕刻氣體。

    文章及圖片來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，如果侵權(quán)聯(lián)系刪除。